电子工程网讯 就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低,NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D,而DRAM还是维持2D架构;在此同时,DRAM制程的微缩也变得越来越困难,主要是因为储存电容的深宽比(aspect ratio)随着元件制程微缩而呈倍数增加。

因此,为了要延长DRAM这种存储的寿命,在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM (Super-DRAM)?为何我们需要这种技术?以下请见笔者的解释。

平面DRAM是存储单元阵列与存储逻辑电路分占两侧,3D Super-DRAM则是将存储单元阵列堆叠在存储逻辑电路的上方,因此裸晶尺寸会变得比较小,每片晶圆的裸晶产出量也会更多;这意味着3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。